SIHG20N50C-E3

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Vishay

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

E

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-247AC-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

500 V

Id - Corriente de drenaje continua:

20 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

270 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

3 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

65 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

250 mW

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Altura:

20.82 mm

Longitud:

15.87 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

5.31 mm

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconductancia directa - Mín .:

6.4 S

Otoño:

44 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

27 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

32 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

80 ns

Unidad de peso:

1.340411 oz

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SIHG20N50C, SIHG20N5, SIHG20, SIHG2, SIHG, SIH