IXFB30N120P

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

IXYS

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

PLUS-264-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

1.2 kV

Id - Corriente de drenaje continua:

30 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

350 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

6.5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Qg - Carga de puerta:

310 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.25 kW

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

HiPerFET

Embalaje:

Tubo

Altura:

26.59 mm

Longitud:

20.29 mm

Serie:

IXFB30N120P

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

MOSFET Polar HiPerFET Power

Ancho:

5.31 mm

Marca:

IXYS

Transconductancia directa - Mín .:

13 S

Otoño:

56 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

60 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

25

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

95 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

57 ns

Unidad de peso:

0.056438 oz

Tags

IXFB30, IXFB3, IXFB, IXF