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SI7100DN-T1-E3

SI7100DN-T1-E3
Mfr. #:
SI7100DN-T1-E3
Fabricante:
Vishay
Descripción:
RF Bipolar Transistors MOSFET 8.0V 35A 52W 3.5mohm @ 4.5V
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
SI7100DN-T1-E3 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
VISHAY
categoria de producto
FET - Single
Serie
SI71xxDx
embalaje
Carrete
Alias ​​de parte
SI7100DN-E3
Estilo de montaje
SMD / SMT
Paquete-Estuche
PowerPAK-1212-8
Tecnología
Si
Número de canales
1 Channel
Configuración
Único
Tipo transistor
1 N-Channel
Disipación de potencia Pd
3.8 W
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 50 C
Otoño
10 ns 8 ns
Hora de levantarse
57 ns 52 ns
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
8 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
26.1 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
8 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
3.5 mOhms
Polaridad del transistor
Canal N
Tiempo de retardo de apagado típico
61 ns 53 ns
Tiempo de retardo de encendido típico
19 ns 14 ns
Modo de canal
Mejora
Tags
SI7100D, SI7100, SI710, SI71, SI7
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ical
Trans MOSFET N-CH 8V 26.1A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
***i-Key
MOSFET N-CH 8V 35A 1212-8
***
N-CHANNEL 8-V (D-S) MOSFET
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
SI7100DN-T1-E3
DISTI # SI7100DN-T1-E3TR-ND		Vishay SiliconixMOSFET N-CH 8V 35A 1212-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		Limited Supply - Call
    SI7100DN-T1-E3
    DISTI # 781-SI7100DN-T1-E3    		Vishay IntertechnologiesMOSFET 8.0V 35A 52W 3.5mohm @ 4.5V
    RoHS: Compliant    		0
      Imagen Parte # Descripción
      SI7100DN-T1-GE3

      Mfr.#: SI7100DN-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SI7100DN-T1-GE3-VISHAY

      		 RF Bipolar Transistors MOSFET 8.0V 35A 52W 3.5mohm @ 4.5V
      SI7100DN-T1-E3

      Mfr.#: SI7100DN-T1-E3

      OMO.#: OMO-SI7100DN-T1-E3-VISHAY

      		 RF Bipolar Transistors MOSFET 8.0V 35A 52W 3.5mohm @ 4.5V
      SI7100DN

      Mfr.#: SI7100DN

      OMO.#: OMO-SI7100DN-1190

      		 Nuevo y original
      Disponibilidad
      Valores:
      Available
      En orden:
      2000
      Ingrese la cantidad:
      El precio actual de SI7100DN-T1-E3 es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
      Precio de referencia (USD)
      Cantidad
      Precio unitario
      Ext. Precio
      1
      0,00 US$
      0,00 US$
      10
      0,00 US$
      0,00 US$
      100
      0,00 US$
      0,00 US$
      500
      0,00 US$
      0,00 US$
      1000
      0,00 US$
      0,00 US$
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