SCH1337-TL-W

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-563-6

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

2 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

292 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2.6 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

3.9 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

800 mW

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Marca:

EN Semiconductor

Otoño:

10.6 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

4.2 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

5000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

20 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

4.5 ns

Unidad de peso:

0.000106 oz

Tags

SCH1337-T, SCH1337, SCH133, SCH13, SCH1, SCH