RGT40TM65DGC9

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor ROHM

Categoria de producto:

Transistores IGBT

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Paquete / Caja:

TO-220-3

Estilo de montaje:

A través del orificio

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

650 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

1.65 V

Voltaje máximo del emisor de puerta:

30 V

Corriente continua del colector a 25 C:

17 A

Pd - Disipación de energía:

39 W

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 40 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Embalaje:

Tubo

Marca:

Semiconductor ROHM

Corriente de fuga puerta-emisor:

200 nA

Tipo de producto:

Transistores IGBT

Cantidad de paquete de fábrica:

50

Subcategoría:

IGBT

Parte # Alias:

RGT40TM65D

Tags

RGT40T, RGT4, RGT