2N6190

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor central

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-39-3

Polaridad del transistor:

PNP

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

80 V

Colector- Voltaje base VCBO:

80 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

6 V

Corriente máxima del colector de CC:

5 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

30 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 200 C

Serie:

2N6190

Ganancia de corriente CC hFE Max:

120 at 2 A, 2 V

Embalaje:

A granel

Marca:

Semiconductor central

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

30 at 2 A, 2 V

Pd - Disipación de energía:

10 W

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

500

Subcategoría:

Transistores

Parte # Alias:

2N6190 PBFREE

Tags

2N619, 2N61, 2N6