FDS8962C

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SO-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, canal P

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

7 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

30 mOhms, 52 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.75 mm

Longitud:

4.9 mm

Serie:

FDS8962C

Tipo de transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Escribe:

MOSFET

Ancho:

3.9 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconductancia directa - Mín .:

25 S, 10 S

Otoño:

3 ns, 9 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

5 ns, 13 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

23 ns, 14 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

8 ns, 7 ns

Parte # Alias:

FDS8962C_NL

Unidad de peso:

0.006596 oz

Tags

FDS8962, FDS896, FDS89, FDS8, FDS