MMIX1T660N04T4

MMIX1T660N04T4
Mfr. #:
MMIX1T660N04T4
Fabricante:
Littelfuse
Descripción:
Discrete Semiconductor Modules Disc MSFT SMPD Pkg-HiPerFETMSFT SMPD-B
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
MMIX1T660N04T4 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
IXYS
Categoria de producto:
Módulos de semiconductores discretos
RoHS:
Y
Producto:
Módulos MOSFET de potencia
Escribe:
Trench T4
Vgs - Voltaje puerta-fuente:
15 V
Estilo de montaje:
SMD / SMT
Temperatura mínima de funcionamiento:
- 55 C
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 175 C
Configuración:
Único
Marca:
IXYS
Polaridad del transistor:
Canal N
Otoño:
260 ns
Id - Corriente de drenaje continua:
660 A
Pd - Disipación de energía:
830 W
Tipo de producto:
Módulos de semiconductores discretos
Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:
850 uOhms
Hora de levantarse:
430 ns
Cantidad de paquete de fábrica:
20
Subcategoría:
Módulos de semiconductores discretos
Nombre comercial:
TrenchT4
Tiempo de retardo de apagado típico:
386 ns
Tiempo típico de retardo de encendido:
40 ns
Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:
40 V
Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:
2 V
Tags
MMIX1T, MMIX1, MMIX, MMI
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Imagen Parte # Descripción
MMIX1T660N04T4

Mfr.#: MMIX1T660N04T4

OMO.#: OMO-MMIX1T660N04T4

Discrete Semiconductor Modules Disc MSFT SMPD Pkg-HiPerFETMSFT SMPD-B
MMIX1T600N04T2

Mfr.#: MMIX1T600N04T2

OMO.#: OMO-MMIX1T600N04T2

MOSFET 40V 600A
MMIX1T600N04T2

Mfr.#: MMIX1T600N04T2

OMO.#: OMO-MMIX1T600N04T2-IXYS-CORPORATION

MOSFET 40V 600A
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19,98 US$
10
18,17 US$
181,70 US$
25
16,80 US$
420,00 US$
50
15,46 US$
773,00 US$
100
15,08 US$
1 508,00 US$
250
13,83 US$
3 457,50 US$
500
12,55 US$
6 275,00 US$
1000
11,45 US$
11 450,00 US$
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