IRF200P223

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-247AC-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

200 V

Id - Corriente de drenaje continua:

100 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

11.5 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

102 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

313 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

Fuerte IRFET

Embalaje:

Tubo

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

Infineon Technologies

Transconductancia directa - Mín .:

93 S

Otoño:

62 ns

Sensible a la humedad:

Yes

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

66 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

400

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

55 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

16 ns

Parte # Alias:

SP001582440

Unidad de peso:

0.211644 oz

Tags

IRF200, IRF20, IRF2, IRF