SSM3J112TU(TE85L)

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Toshiba

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

N

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

UFM-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

1.1 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

610 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

800 mW

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.7 mm

Longitud:

2 mm

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Serie:

SSM3J112TU

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Escribe:

Pequeña señal

Ancho:

1.7 mm

Marca:

Toshiba

Transconductancia directa - Mín .:

1 S / 0.5 S

Tipo de producto:

MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Unidad de peso:

0.004395 oz

Tags

SSM3J112, SSM3J11, SSM3J1, SSM3J, SSM3, SSM