SSM3J112TU,LF

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Toshiba

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

UFM-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

1.1 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

310 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.8 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

800 mW

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Serie:

SSM3J112TU

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Marca:

Toshiba

Transconductancia directa - Mín .:

0.5 S

Tipo de producto:

MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

8.5 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

14 ns

Unidad de peso:

0.000233 oz

Tags

SSM3J112, SSM3J11, SSM3J1, SSM3J, SSM3, SSM