IPG20N06S4L26AATMA1

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TDSON-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

20 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

21 mOhms, 21 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

16 V

Qg - Carga de puerta:

20 nC, 20 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

33 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Calificación:

AEC-Q101

Nombre comercial:

OptiMOS

Embalaje:

Carrete

Altura:

1 mm

Longitud:

5.9 mm

Serie:

OptiMOS-T2

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Ancho:

5.15 mm

Marca:

Infineon Technologies

Otoño:

10 ns, 10 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

1.5 ns, 1.5 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

5000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

18 ns, 18 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

5 ns, 5 ns

Parte # Alias:

IPG20N06S4L-26A SP001023848

Unidad de peso:

0.003474 oz

Tags

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