NP60N04MUG-S18-AY

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Electrónica Renesas

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-220-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

40 V

Id - Corriente de drenaje continua:

60 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

6.3 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

1800 mW

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Altura:

9 mm

Longitud:

10 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

4.5 mm

Marca:

Electrónica Renesas

Otoño:

10 ns

Sensible a la humedad:

Yes

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

10 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

900

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

48 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

21 ns

Unidad de peso:

0.063493 oz

Tags

NP60N04M, NP60N04, NP60N0, NP60N, NP60, NP6