DMN2014LHAB-7

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

U-DFN2030-6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

9 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

13 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

710 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

12 V

Qg - Carga de puerta:

16 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.7 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Serie:

D014LHAB

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Marca:

Diodos incorporados

Otoño:

12 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

15.5 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

40.9 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

6.9 ns

Tags

DMN201, DMN20, DMN2, DMN