DRDN005W-7

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-363-6

Polaridad del transistor:

NPN

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

80 V

Colector- Voltaje base VCBO:

80 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

4 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

250 mV

Corriente máxima del colector de CC:

500 mA

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

100 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Serie:

DRDN005

Altura:

1 mm

Longitud:

2.2 mm

Embalaje:

Carrete

Ancho:

1.35 mm

Marca:

Diodos incorporados

Pd - Disipación de energía:

200 mW

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

Transistores

Unidad de peso:

0.000212 oz

Tags

DRDN00, DRDN0, DRDN, DRD