SIZF906DT-T1-GE3

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Vishay

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

PowerPAIR-6x5-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

60 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

3 mOhms, 900 uOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

- 16 V, 20 V

Qg - Carga de puerta:

49 nC, 200 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

38 W, 83 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

TrenchFET

Embalaje:

Carrete

Serie:

TAMAÑO

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconductancia directa - Mín .:

130 S, 130 S

Otoño:

40 ns, 30 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

80 ns, 60 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

20 ns, 65 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

20 ns, 45 ns

Tags

SIZF90, SIZF9, SIZF, SiZ