HP8KA1

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante

Semiconductor Rohm

categoria de producto

FET: matrices

Serie

HP8KA1

embalaje

Embalaje alternativo de Digi-ReelR

Unidad de peso

0.002490 oz

Estilo de montaje

SMD / SMT

Paquete-Estuche

8-PowerTDFN

Tecnología

Si

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de canales

2 Channel

Paquete de dispositivo de proveedor

8-HSOP

Configuración

2 N-Channel

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Potencia máxima

3W

Tipo transistor

2 N-Channel

Drenaje-a-fuente-voltaje-Vdss

30V

Entrada-Capacitancia-Ciss-Vds

2550pF @ 15V

Función FET

Puerta de nivel lógico

Corriente-Continuo-Drenaje-Id-25 ° C

14A

Rds-On-Max-Id-Vgs

5 mOhm @ 14A, 10V

Vgs-th-Max-Id

2.5V @ 10mA

Puerta-Carga-Qg-Vgs

24nC @ 4.5V

Disipación de potencia Pd

3 W

Temperatura máxima de funcionamiento

+ 150 C

Temperatura mínima de funcionamiento

- 55 C

Otoño

40 ns 40 ns

Hora de levantarse

30 ns 30 ns

Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje

+/- 20 V +/- 20 V

Id-corriente-de-drenaje-continua

14 A 14 A

Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage

30 V 30 V

Vgs-th-Gate-Source-Threshold-Voltage

1 V 1 V

Resistencia a la fuente de desagüe de Rds

7 mOhms 7 mOhms

Polaridad del transistor

Canal N

Tiempo de retardo de apagado típico

85 ns 85 ns

Tiempo de retardo de encendido típico

25 ns 25 ns

Qg-Gate-Charge

24 nC 24 nC

Transconductancia directa-Mín.

14 S 14 S

Modo de canal

Mejora

Tags

HP8KA, HP8K, HP8