HP8KA1TB

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor ROHM

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

HSOP-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

14 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

7 mOhms, 7 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

24 nC, 24 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

3 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.1 mm

Longitud:

5.8 mm

Producto:

MOSFET

Tipo de transistor:

2 N-channel

Escribe:

MOSFET de potencia

Ancho:

5 mm

Marca:

Semiconductor ROHM

Transconductancia directa - Mín .:

14 S, 14 S

Otoño:

40 ns, 40 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

30 ns, 30 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

85 ns, 85 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

25 ns, 25 ns

Parte # Alias:

HP8KA1

Unidad de peso:

0.002490 oz

Tags

HP8KA, HP8K, HP8