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MT3S113TU,LF

MT3S113TU,LF
Mfr. #:
MT3S113TU,LF
Fabricante:
Toshiba
Descripción:
RF Bipolar Transistors RF Bipolar Transistor .1A 900mW
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
MT3S113TU,LF Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
MT3S113TU,LF DatasheetMT3S113TU,LF Datasheet (P4-P6)MT3S113TU,LF Datasheet (P7)
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
Toshiba
Categoria de producto:
Transistores bipolares de RF
RoHS:
Y
Serie:
MT3S113TU
Tipo de transistor:
Bipolar
Tecnología:
SiGe
Polaridad del transistor:
NPN
Colector de CC / Ganancia base hfe Min:
200
Voltaje colector-emisor VCEO Max:
5.3 V
Emisor- Voltaje base VEBO:
0.6 V
Corriente continua del colector:
100 mA
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 150 C
Configuración:
Único
Estilo de montaje:
SMD / SMT
Paquete / Caja:
UFM-3
Embalaje:
Carrete
Frecuencia de operación:
11.2 GHz
Marca:
Toshiba
Corriente máxima del colector de CC:
100 mA
Pd - Disipación de energía:
900 mW
Tipo de producto:
Transistores bipolares de RF
Cantidad de paquete de fábrica:
3000
Subcategoría:
Transistores
Tags
MT3S113T, MT3S113, MT3S11, MT3S1, MT3S, MT3
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
Imagen Parte # Descripción
MT3S111TE85LF

Mfr.#: MT3S111TE85LF

OMO.#: OMO-MT3S111TE85LF-1190

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MT3S111P(TE12LF)TR-ND

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MT3S111TU(T5L

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MT3S113

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0,74 US$
10
0,57 US$
5,68 US$
100
0,37 US$
36,60 US$
1000
0,29 US$
293,00 US$
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