ATF-511P8-TR1

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Broadcom Limited

Categoria de producto:

Transistores RF JFET

RoHS:

Y

Tipo de transistor:

EpHEMT

Tecnología:

GaAs

Ganar:

14.8 dB

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

7 V

Vgs - Voltaje de ruptura de puerta-fuente:

- 5 V to 1 V

Id - Corriente de drenaje continua:

1 A

Voltaje máximo de la puerta de drenaje:

- 5 V to + 1 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

3 W

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

LPCC-8

Embalaje:

Carrete

Configuración:

Fuente dual única

Frecuencia de operación:

2 GHz

Producto:

RF JFET

Escribe:

GaAs EpHEMT

Marca:

Broadcom / Avago

Transconductancia directa - Mín .:

2178 mmho

NF - Figura de ruido:

1.4 dB

P1dB - Punto de compresión:

30 dBm

Tipo de producto:

Transistores RF JFET

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

Transistores

Tags

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