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DMN3018SSS-13

DMN3018SSS-13
Mfr. #:
DMN3018SSS-13
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
IGBT Transistors MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40 1V-40V SO-8 T&R 2.5K
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
DMN3018SSS-13 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
Diodos incorporados
categoria de producto
FET - Single
Serie
DMN3018
embalaje
Embalaje alternativo de Digi-ReelR
Unidad de peso
0.002610 oz
Estilo de montaje
SMD / SMT
Paquete-Estuche
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tecnología
Si
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Número de canales
2 Channel
Paquete de dispositivo de proveedor
8-SO
Configuración
Dual Dual Drain
Tipo FET
Canal N MOSFET, óxido metálico
Potencia máxima
1.4W
Tipo transistor
2 N-Channel
Drenaje-a-fuente-voltaje-Vdss
30V
Entrada-Capacitancia-Ciss-Vds
697pF @ 15V
Función FET
Estándar
Corriente-Continuo-Drenaje-Id-25 ° C
7.3A (Ta)
Rds-On-Max-Id-Vgs
21 mOhm @ 10A, 10V
Vgs-th-Max-Id
2.1V @ 250μA
Puerta-Carga-Qg-Vgs
13.2nC @ 10V
Disipación de potencia Pd
1.7 W
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 55 C
Otoño
4.1 ns
Hora de levantarse
4.4 ns
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
25 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
9.7 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
30 V
Vgs-th-Gate-Source-Threshold-Voltage
2.1 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
35 mOhms
Polaridad del transistor
Canal N
Tiempo de retardo de apagado típico
20.1 ns
Tiempo de retardo de encendido típico
4.3 ns
Qg-Gate-Charge
6 nC
Transconductancia directa-Mín.
8.3 S
Modo de canal
Mejora
Tags
DMN3018SSS, DMN3018SS, DMN3018, DMN301, DMN30, DMN3, DMN
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Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ure Electronics
N-Channel 30 V 21 mO 13.2 nC SMT Enhancement Mode Mosfet - SOIC-8
***ical
Trans MOSFET N-CH 30V 7.3A Automotive 8-Pin SO T/R
***ied Electronics & Automation
MOSFET; N Channel; Trans; 30V 7.3A SO8
***des Inc SCT
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 30V VDS, 25±V VGS
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
DMN3018SSS-13
DISTI # V72:2272_06698178		Zetex / Diodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 7.3A Automotive 8-Pin SO T/R
RoHS: Compliant		8
  • 1:$0.3610
DMN3018SSS-13
DISTI # DMN3018SSS-13DICT-ND		Diodes IncorporatedMOSFET N CH 30V 7.3A 8-SO
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)		179In Stock
  • 1000:$0.1326
  • 500:$0.1767
  • 100:$0.2578
  • 10:$0.3760
  • 1:$0.4800
DMN3018SSS-13
DISTI # DMN3018SSS-13DIDKR-ND		Diodes IncorporatedMOSFET N CH 30V 7.3A 8-SO
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Digi-Reel®		179In Stock
  • 1000:$0.1326
  • 500:$0.1767
  • 100:$0.2578
  • 10:$0.3760
  • 1:$0.4800
DMN3018SSS-13
DISTI # DMN3018SSS-13DITR-ND		Diodes IncorporatedMOSFET N CH 30V 7.3A 8-SO
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Tape & Reel (TR)		On Order
  • 2500:$0.1180
DMN3018SSS-13
DISTI # DMN3018SSS-13		Diodes IncorporatedTrans MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-Pin SO T/R - Tape and Reel (Alt: DMN3018SSS-13)
RoHS: Not Compliant
Min Qty: 2500
Container: Reel		Americas - 0
  • 2500:$0.0789
  • 5000:$0.0749
  • 10000:$0.0709
  • 15000:$0.0679
  • 25000:$0.0659
DMN3018SSS-13
DISTI # 70438081		Diodes IncorporatedMOSFET,N Channel,Trans,30V 7.3A SO8
RoHS: Compliant		0
  • 125:$0.2200
  • 625:$0.1900
  • 2500:$0.1700
  • 5000:$0.1600
DMN3018SSS-13
DISTI # 621-DMN3018SSS-13		Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40 1V-40V SO-8 T&R 2.5K
RoHS: Compliant		0
  • 1:$0.3800
  • 10:$0.2880
  • 100:$0.1560
  • 1000:$0.1170
  • 2500:$0.1010
Imagen Parte # Descripción
DMN3018SSS-13

Mfr.#: DMN3018SSS-13

OMO.#: OMO-DMN3018SSS-13

 MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40 1V-40V SO-8 T&R 2.5K
DMN3016LK3-13

Mfr.#: DMN3016LK3-13

OMO.#: OMO-DMN3016LK3-13

 MOSFET 30V N-Ch Enh 30Vds 20Vgs 1415pF 25.1nC
DMN3018SFG-7

Mfr.#: DMN3018SFG-7

OMO.#: OMO-DMN3018SFG-7

 MOSFET 30V N-Ch Enh Mode 25Vgss 1.0W 697pF
DMN3010LFG-13

Mfr.#: DMN3010LFG-13

OMO.#: OMO-DMN3010LFG-13

 MOSFET N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 20Vgss
DMN3018SFG

Mfr.#: DMN3018SFG

OMO.#: OMO-DMN3018SFG-1190

 Nuevo y original
DMN3018SSS-13-F

Mfr.#: DMN3018SSS-13-F

OMO.#: OMO-DMN3018SSS-13-F-1190

 Nuevo y original
DMN3012LDG-13

Mfr.#: DMN3012LDG-13

OMO.#: OMO-DMN3012LDG-13-DIODES

 MOSFET BVDSS: 25V30V PowerDI3333-8 T&R 3K
DMN3016LDV-7

Mfr.#: DMN3016LDV-7

OMO.#: OMO-DMN3016LDV-7-DIODES

 MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8
DMN3010LK3-13

Mfr.#: DMN3010LK3-13

OMO.#: OMO-DMN3010LK3-13-DIODES

 Darlington Transistors MOSFET 30V N-Ch Enh Mode 20Vgss 1.6W 2075pF
DMN3016LPS-13

Mfr.#: DMN3016LPS-13

OMO.#: OMO-DMN3016LPS-13-DIODES

 MOSFET N-Ch 30V Enh FET 20Vgss 1.18W 1415pF
Disponibilidad
Valores:
Available
En orden:
4000
Ingrese la cantidad:
El precio actual de DMN3018SSS-13 es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
Precio de referencia (USD)
Cantidad
Precio unitario
Ext. Precio
1
0,10 US$
0,10 US$
10
0,09 US$
0,94 US$
100
0,09 US$
8,90 US$
500
0,08 US$
42,00 US$
1000
0,08 US$
79,10 US$
Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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