DMN3016LK3-13

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-252-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

37.8 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

16 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.3 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

25.1 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2.8 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

2.29 mm

Longitud:

6.1 mm

Producto:

Modo de mejora MOSFET

Serie:

DMN3016

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

Modo de mejora MOSFET

Ancho:

6.58 mm

Marca:

Diodos incorporados

Transconductancia directa - Mín .:

-

Otoño:

5.6 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

16.5 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

26.1 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

4.8 ns

Unidad de peso:

0.139332 oz

Tags

DMN3016, DMN301, DMN30, DMN3, DMN