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IPP50CN10NGXKSA1

IPP50CN10NGXKSA1
Mfr. #:
IPP50CN10NGXKSA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
MOSFET N-Ch 100V 20A TO220-3
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
IPP50CN10NGXKSA1 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
Infineon
Categoria de producto:
MOSFET
RoHS:
Y
Tecnología:
Si
Estilo de montaje:
A través del orificio
Paquete / Caja:
TO-220-3
Número de canales:
1 Channel
Polaridad del transistor:
Canal N
Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:
100 V
Id - Corriente de drenaje continua:
20 A
Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:
38 mOhms
Vgs - Voltaje puerta-fuente:
20 V
Qg - Carga de puerta:
12 nC
Temperatura mínima de funcionamiento:
- 55 C
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 175 C
Pd - Disipación de energía:
44 W
Configuración:
Único
Embalaje:
Tubo
Altura:
15.65 mm
Longitud:
10 mm
Serie:
IPP50CN10
Tipo de transistor:
1 N-Channel
Ancho:
4.4 mm
Marca:
Infineon Technologies
Transconductancia directa - Mín .:
21 S
Otoño:
3 ns
Tipo de producto:
MOSFET
Hora de levantarse:
4 ns
Cantidad de paquete de fábrica:
500
Subcategoría:
MOSFET
Unidad de peso:
0.211644 oz
Tags
IPP50CN10NG, IPP50C, IPP50, IPP5, IPP
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***i-Key
MOSFET N-CH 100V 20A TO-220
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
IPP50CN10NGXKSA1
DISTI # IPP50CN10NGXKSA1-ND		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 100V 20A TO-220
RoHS: Compliant
Min Qty: 500
Container: Tube		Limited Supply - Call
    IPP50CN10NGXKSA1
    DISTI # IPP50CN10NGXKSA1    		Infineon Technologies AG- Bulk (Alt: IPP50CN10NGXKSA1)
    Min Qty: 807
    Container: Bulk    		Americas - 0
    • 8070:$0.3929
    • 4035:$0.4009
    • 2421:$0.4139
    • 1614:$0.4299
    • 807:$0.4459
    IPP50CN10NGXKSA1
    DISTI # 726-IPP50CN10NGXKSA1    		Infineon Technologies AGMOSFET N-Ch 100V 20A TO220-3
    RoHS: Compliant    		0
      IPP50CN10NGXKSA1Infineon Technologies AGPower Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
      RoHS: Not Compliant      		3660
      • 1000:$0.4100
      • 500:$0.4300
      • 100:$0.4500
      • 25:$0.4700
      • 1:$0.5000
      Imagen Parte # Descripción
      IPP50CN10NGXKSA1

      Mfr.#: IPP50CN10NGXKSA1

      OMO.#: OMO-IPP50CN10NGXKSA1

      		 MOSFET N-Ch 100V 20A TO220-3
      IPP50CN10N

      Mfr.#: IPP50CN10N

      OMO.#: OMO-IPP50CN10N-1190

      		 Nuevo y original
      IPP50CN10N G

      Mfr.#: IPP50CN10N G

      OMO.#: OMO-IPP50CN10N-G-1190

      		 MOSFET N-Ch 100V 20A TO220-3
      IPP50CN10NG

      Mfr.#: IPP50CN10NG

      OMO.#: OMO-IPP50CN10NG-1190

      		 Nuevo y original
      IPP50CN10NGHKSA1

      Mfr.#: IPP50CN10NGHKSA1

      OMO.#: OMO-IPP50CN10NGHKSA1-1190

      		 Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
      IPP50CN10NGXKSA1

      Mfr.#: IPP50CN10NGXKSA1

      OMO.#: OMO-IPP50CN10NGXKSA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

      		 MOSFET N-CH 100V 20A TO-220
      Disponibilidad
      Valores:
      Available
      En orden:
      4500
      Ingrese la cantidad:
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