SIHFR9310-GE3

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Vishay

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-252-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

400 V

Id - Corriente de drenaje continua:

1.8 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

7 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

- 4 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

13 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

50 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconductancia directa - Mín .:

0.91 S

Otoño:

24 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

10 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

25 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

11 ns

Tags

SIHFR9, SIHFR, SIHF, SIH