IXTN32P60P

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

IXYS

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

Montaje en chasis

Paquete / Caja:

SOT-227-4

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

600 V

Id - Corriente de drenaje continua:

32 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

350 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

4 V

Qg - Carga de puerta:

196 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

890 W

Embalaje:

Tubo

Producto:

MOSFET de potencia

Serie:

IXTN32P60

Marca:

IXYS

Transconductancia directa - Mín .:

32 S / 21 S

Otoño:

33 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

27 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

10

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

95 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

37 ns

Unidad de peso:

1.058219 oz

Tags

IXTN3, IXTN, IXT