ALD212908SAL

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Dispositivos lineales avanzados

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOIC-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

10 V

Id - Corriente de drenaje continua:

79 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

14 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

780 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10.6 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

0 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 70 C

Pd - Disipación de energía:

500 mW

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

EPAD

Embalaje:

Tubo

Serie:

ALD212908S

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Marca:

Dispositivos lineales avanzados

Tipo de producto:

MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

50

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

10 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

10 ns

Unidad de peso:

0.002998 oz

Tags

ALD212908, ALD21290, ALD2129, ALD212, ALD21, ALD2, ALD