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IPI034NE7N3 G

IPI034NE7N3 G
Mfr. #:
IPI034NE7N3 G
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
MOSFET N-Ch 75V 100A I2PAK-3 OptiMOS 3
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
IPI034NE7N3 G Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
Infineon
Categoria de producto:
MOSFET
RoHS:
Y
Tecnología:
Si
Estilo de montaje:
A través del orificio
Paquete / Caja:
TO-262-3
Número de canales:
1 Channel
Polaridad del transistor:
Canal N
Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:
75 V
Id - Corriente de drenaje continua:
100 A
Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:
3.4 mOhms
Vgs - Voltaje puerta-fuente:
20 V
Qg - Carga de puerta:
88 nC
Temperatura mínima de funcionamiento:
- 55 C
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 175 C
Pd - Disipación de energía:
214 W
Configuración:
Único
Nombre comercial:
OptiMOS
Embalaje:
Tubo
Altura:
9.45 mm
Longitud:
10.2 mm
Tipo de transistor:
1 N-Channel
Ancho:
4.5 mm
Marca:
Infineon Technologies
Otoño:
10 ns
Tipo de producto:
MOSFET
Hora de levantarse:
85 nS
Cantidad de paquete de fábrica:
500
Subcategoría:
MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:
40 nS
Parte # Alias:
IPI034NE7N3GAKSA1 SP000641734
Unidad de peso:
0.084199 oz
Tags
IPI034NE7N3G, IPI034, IPI03, IPI0, IPI
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin TO-262 Tube
*** Electronic Components
IGBT Transistors MOSFET N-Ch 75V 100A I2PAK-3 OptiMOS 3
***
N-Channel 75 V 1A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
IPI034NE7N3 G
DISTI # IPI034NE7N3G-ND		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 75V 100A TO262-3
RoHS: Compliant
Min Qty: 500
Container: Tube		Limited Supply - Call
    IPI034NE7N3GInfineon Technologies AGPower Field-Effect Transistor, 100A I(D), 75V, 0.0034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
    RoHS: Compliant    		7459
    • 1000:$1.2700
    • 500:$1.3300
    • 100:$1.3900
    • 25:$1.4500
    • 1:$1.5600
    IPI034NE7N3GAKSA1Infineon Technologies AGPower Field-Effect Transistor, 100A I(D), 75V, 0.0034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
    RoHS: Compliant    		498
    • 1:$0.0200
    • 25:$0.0200
    • 100:$0.0200
    • 500:$0.0200
    • 1000:$0.0200
    IPI034NE7N3 G
    DISTI # 726-IPI034NE7N3G    		Infineon Technologies AGMOSFET N-Ch 75V 100A I2PAK-3 OptiMOS 3
    RoHS: Compliant    		0
      Imagen Parte # Descripción
      IPI034NE7N3 G

      Mfr.#: IPI034NE7N3 G

      OMO.#: OMO-IPI034NE7N3-G

      		 MOSFET N-Ch 75V 100A I2PAK-3 OptiMOS 3
      IPI034NE7N3GAKSA1

      Mfr.#: IPI034NE7N3GAKSA1

      OMO.#: OMO-IPI034NE7N3GAKSA1-1190

      		 Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 75V, 0.0034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
      IPI034NE7N3

      Mfr.#: IPI034NE7N3

      OMO.#: OMO-IPI034NE7N3-1190

      		 Nuevo y original
      IPI034NE7N3G

      Mfr.#: IPI034NE7N3G

      OMO.#: OMO-IPI034NE7N3G-1190

      		 Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 75V, 0.0034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
      IPI034NE7N3G(034NE7N)

      Mfr.#: IPI034NE7N3G(034NE7N)

      OMO.#: OMO-IPI034NE7N3G-034NE7N--1190

      		 Nuevo y original
      IPI034NE7N3GS

      Mfr.#: IPI034NE7N3GS

      OMO.#: OMO-IPI034NE7N3GS-1190

      		 Nuevo y original
      IPI034NE7N3 G

      Mfr.#: IPI034NE7N3 G

      OMO.#: OMO-IPI034NE7N3-G-INFINEON-TECHNOLOGIES

      		 IGBT Transistors MOSFET N-Ch 75V 100A I2PAK-3 OptiMOS 3
      Disponibilidad
      Valores:
      Available
      En orden:
      3500
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