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IXGF32N170

IXGF32N170
Mfr. #:
IXGF32N170
Fabricante:
Littelfuse
Descripción:
IGBT Transistors 26 Amps 1700V 3.5 V Rds
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
IXGF32N170 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
IXYS
categoria de producto
IGBTs - Single
Serie
IXGF32N170
embalaje
Tubo
Estilo de montaje
A través del orificio
Paquete-Estuche
i4-Pac-5 (3 leads)
Tipo de entrada
Estándar
Tipo de montaje
A través del orificio
Paquete de dispositivo de proveedor
ISOPLUS i4-PAC
Configuración
Único
Potencia máxima
200W
Tiempo de recuperación inverso trr
-
Colector-corriente-Ic-Max
44A
Voltaje-Colector-Emisor-Ruptura-Máx.
1700V
Tipo IGBT
NPT
Colector de corriente pulsado Icm
200A
Vce-en-Max-Vge-Ic
3.5V @ 15V, 32A
Energía de conmutación
10.6mJ (off)
Gate-Charge
146nC
Td-encendido-apagado-25 ° C
45ns/270ns
Condición de prueba
1020V, 32A, 2.7 Ohm, 15V
Disipación de potencia Pd
200 W
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 55 C
Colector-Emisor-Voltaje-VCEO-Max
1.7 kV
Colector-Emisor-Saturación-Voltaje
2.7 V
Corriente-de-colector-continuo-a-25-C
44 A
Puerta-Emisor-Fuga-Corriente
100 nA
Voltaje máximo del emisor de puerta
+/- 20 V
Colector-continuo-Corriente-Ic-Max
200 A
Tags
IXGF3, IXGF, IXG
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ure Electronics
IXGF32N170 Series 1700 V 19 A Through Hole High Voltage IGBT - ISOPLUS i4-Pak
***i-Key
IGBT 1700V 44A 200W I4PAC
***ark
IGBT, ISOI4-PAC; DC Collector Current:44A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):3.5V; Power Dissipation Pd:200W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.7kV; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150�C; Product Range:- RoHS Compliant: Yes
***ment14 APAC
Prices include import duty and tax. IGBT, ISOI4-PAC; DC Collector Current:44A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):3.5V; Power Dissipation Pd:200W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.7kV; Transistor Case Style:ISOPLUS i4-PAC; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:No SVHC (12-Jan-2017); Current Ic Continuous a Max:26A; Junction to Case Thermal Resistance A:0.65°C/W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Pin Configuration:Single; Power Dissipation Max:200W; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel; Transistor Type:IGBT; Voltage Vces:1700V
***nell
IGBT, ISOI4-PAC; Corrente di Collettore CC:44A; Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(on):3.5V; Dissipazione di Potenza Pd:200W; Tensione Collettore-Emettitore V(br)ceo:1.7kV; Modello Case Transistor:ISOPLUS i4-PAC; No. di Pin:3Pin; Temperatura di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard di Qualifica Automotive:-; Livello di Sensibilità all'Umidità (MSL):-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (SVHC):No SVHC (12-Jan-2017); Configurazione Pin:Single; Corrente Ic Continua a Max:26A; Dissipazione di Potenza Max:200W; Intervallo Temperatura di Esercizio:Da -55°C a +150°C; Polarità Transistor:Canale N; Resistenza Termica A da Giunzione a Case:0.65°C/W; Temperatura di Esercizio Min:-55°C; Tensione Vces:1700V; Tipo di Terminazione:Foro Passante; Tipo di Transistor:IGBT
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
IXGF32N170
DISTI # IXGF32N170-ND		IXYS CorporationIGBT 1700V 44A 200W I4PAC
RoHS: Compliant
Min Qty: 25
Container: Tube		Temporarily Out of Stock
  • 25:$17.3852
IXGF32N170
DISTI # 747-IXGF32N170		IXYS CorporationIGBT Transistors 26 Amps 1700V 3.5 V Rds
RoHS: Compliant		25
  • 1:$19.6900
  • 10:$17.9000
  • 25:$16.5600
  • 50:$15.6000
  • 100:$15.2200
  • 250:$13.8700
  • 500:$12.9800
IXGF32N170
DISTI # 1300108		IXYS CorporationIGBT, ISOI4-PAC
RoHS: Compliant		0
  • 1:£14.9100
  • 5:£14.9000
  • 10:£12.5300
  • 50:£11.8000
  • 100:£11.5200
Imagen Parte # Descripción
IXGF32N170

Mfr.#: IXGF32N170

OMO.#: OMO-IXGF32N170

 IGBT Transistors 26 Amps 1700V 3.5 V Rds
IXGF36N300

Mfr.#: IXGF36N300

OMO.#: OMO-IXGF36N300

 IGBT Transistors
IXGF30N400

Mfr.#: IXGF30N400

OMO.#: OMO-IXGF30N400-IXYS-CORPORATION

 IGBT 4000V 30A 160W I4-PAK
IXGF36N300

Mfr.#: IXGF36N300

OMO.#: OMO-IXGF36N300-IXYS-CORPORATION

 IGBT 3000V 36A 160W I4-PAK
IXGF32N170

Mfr.#: IXGF32N170

OMO.#: OMO-IXGF32N170-IXYS-CORPORATION

 IGBT Transistors 26 Amps 1700V 3.5 V Rds
Disponibilidad
Valores:
Available
En orden:
5500
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El precio actual de IXGF32N170 es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
Precio de referencia (USD)
Cantidad
Precio unitario
Ext. Precio
1
19,47 US$
19,47 US$
10
18,50 US$
184,96 US$
100
17,52 US$
1 752,30 US$
500
16,55 US$
8 274,75 US$
1000
15,58 US$
15 576,00 US$
Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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