NX1029X,115

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Nexperia

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-666-6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, canal P

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V, 50 V

Id - Corriente de drenaje continua:

300 mA, 170 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

1.6 Ohms, 7.5 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

0.25 nC, 0.5 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

500 mW

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Calificación:

AEC-Q101

Embalaje:

Carrete

Producto:

MOSFET

Tipo de transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Escribe:

MOSFET de trinchera

Marca:

Nexperia

Transconductancia directa - Mín .:

550 mS, 150 mS

Otoño:

7 ns, 25 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

6 ns, 11 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

4000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

12 ns, 48 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

5 ns, 13 ns

Unidad de peso:

0.000095 oz

Tags

NX1029X, NX1029, NX102, NX10, NX1