IXFN23N100

IXFN23N100
Mfr. #:
IXFN23N100
Fabricante:
Littelfuse
Descripción:
MOSFET 23 Amps 1000V 0.43 Rds
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
IXFN23N100 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
IXFN23N100 DatasheetIXFN23N100 Datasheet (P4)
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
IXYS
Categoria de producto:
MOSFET
RoHS:
Y
Tecnología:
Si
Estilo de montaje:
Montaje en chasis
Paquete / Caja:
SOT-227-4
Número de canales:
1 Channel
Polaridad del transistor:
Canal N
Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:
1 kV
Id - Corriente de drenaje continua:
24 A
Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:
390 mOhms
Vgs - Voltaje puerta-fuente:
20 V
Temperatura mínima de funcionamiento:
- 55 C
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 150 C
Pd - Disipación de energía:
568 W
Configuración:
Único
Modo de canal:
Mejora
Nombre comercial:
HyperFET
Embalaje:
Tubo
Altura:
9.6 mm
Longitud:
38.2 mm
Serie:
IXFN23N100
Tipo de transistor:
1 N-Channel
Ancho:
25.07 mm
Marca:
IXYS
Otoño:
21 ns
Tipo de producto:
MOSFET
Hora de levantarse:
35 ns
Cantidad de paquete de fábrica:
10
Subcategoría:
MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:
75 ns
Tiempo típico de retardo de encendido:
35 ns
Unidad de peso:
1.058219 oz
Tags
IXFN23, IXFN2, IXFN, IXF
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***i-Key
MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
IXFN23N100
DISTI # IXFN23N100-ND
IXYS CorporationMOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B
RoHS: Compliant
Min Qty: 10
Container: Tube
Temporarily Out of Stock
  • 10:$30.4330
IXFN23N100
DISTI # 747-IXFN23N100
IXYS CorporationMOSFET 23 Amps 1000V 0.43 Rds
RoHS: Compliant
0
  • 10:$30.4400
  • 30:$27.9700
  • 50:$26.7800
  • 100:$25.9900
  • 200:$23.8500
Imagen Parte # Descripción
IXFN27N120SK

Mfr.#: IXFN27N120SK

OMO.#: OMO-IXFN27N120SK

MOSFET SICARBIDE-DISCRETE MOSFET (MIN
IXFN230N10

Mfr.#: IXFN230N10

OMO.#: OMO-IXFN230N10

MOSFET 230 Amps 100V 0.006 Rds
IXFN24N90Q

Mfr.#: IXFN24N90Q

OMO.#: OMO-IXFN24N90Q

MOSFET 24 Amps 900V 0.45W Rds
IXFN200N10P

Mfr.#: IXFN200N10P

OMO.#: OMO-IXFN200N10P-IXYS-CORPORATION

MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B
IXFN230N20T

Mfr.#: IXFN230N20T

OMO.#: OMO-IXFN230N20T-IXYS-CORPORATION

MOSFET N-CH 200V 220A SOT-227
IXFN210N30X3

Mfr.#: IXFN210N30X3

OMO.#: OMO-IXFN210N30X3-IXYS-CORPORATION

FET N-CHANNEL
IXFN24N90Q

Mfr.#: IXFN24N90Q

OMO.#: OMO-IXFN24N90Q-IXYS-CORPORATION

MOSFET 24 Amps 900V 0.45W Rds
IXFN23N100

Mfr.#: IXFN23N100

OMO.#: OMO-IXFN23N100-IXYS-CORPORATION

MOSFET 23 Amps 1000V 0.43 Rds
IXFN26N120P

Mfr.#: IXFN26N120P

OMO.#: OMO-IXFN26N120P-IXYS-CORPORATION

MOSFET 26 Amps 1200V
IXFN26N100P

Mfr.#: IXFN26N100P

OMO.#: OMO-IXFN26N100P-IXYS-CORPORATION

MOSFET 26 Amps 1000V 0.39 Rds
Disponibilidad
Valores:
Available
En orden:
4500
Ingrese la cantidad:
El precio actual de IXFN23N100 es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
Precio de referencia (USD)
Cantidad
Precio unitario
Ext. Precio
10
30,44 US$
304,40 US$
30
27,97 US$
839,10 US$
50
26,78 US$
1 339,00 US$
100
25,99 US$
2 599,00 US$
200
23,85 US$
4 770,00 US$
500
22,70 US$
11 350,00 US$
Empezar con
Nuevos productos
Top