NTGD4167CT1G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TSOP-6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, canal P

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

2.6 A, 1.9 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

90 mOhms, 300 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

500 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

4.5 V, - 2.5 V

Qg - Carga de puerta:

3.7 nC, 3.9 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.1 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.94 mm

Longitud:

3 mm

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Serie:

NTGD4167C

Tipo de transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Ancho:

1.5 mm

Marca:

EN Semiconductor

Transconductancia directa - Mín .:

2.6 S, 2.6 S

Otoño:

2 ns, 8 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

4 ns, 8 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

14 ns, 22 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

7 ns, 8 ns

Unidad de peso:

0.000705 oz

Tags

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