IRFHM830DTR2PBF

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

PQFN-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

20 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

5.7 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.8 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

13 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2.8 W

Configuración:

Único

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.05 mm

Longitud:

3.3 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

3.3 mm

Marca:

Infineon / IR

Transconductancia directa - Mín .:

69 S

Otoño:

6.7 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

20 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

400

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

9.1 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

9.8 ns

Parte # Alias:

SP001551956

Unidad de peso:

0.017637 oz

Tags

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