GA10SICP12-247

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor GeneSiC

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Sic

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-247-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

1.2 kV

Id - Corriente de drenaje continua:

25 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

100 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Qg - Carga de puerta:

55 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

170 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Serie:

GA10SICP12

Marca:

Semiconductor GeneSiC

Tipo de producto:

MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

30

Subcategoría:

MOSFET

Unidad de peso:

1.340411 oz

Tags

GA10S, GA10, GA1