IPB200N25N3 G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-263-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

250 V

Id - Corriente de drenaje continua:

64 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

17.5 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

86 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

300 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

OptiMOS

Embalaje:

Carrete

Altura:

4.4 mm

Longitud:

10 mm

Serie:

OptiMOS 3

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

OptiMOS 3 Power-Transistor

Ancho:

9.25 mm

Marca:

Infineon Technologies

Transconductancia directa - Mín .:

61 S

Otoño:

12 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

20 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

45 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

18 ns

Parte # Alias:

IPB200N25N3GATMA1 IPB2N25N3GXT SP000677896

Unidad de peso:

0.139332 oz

Tags

IPB200N25N3G, IPB200N25N3, IPB200N2, IPB200, IPB20, IPB2, IPB