IXTT6N120

IXTT6N120
Mfr. #:
IXTT6N120
Fabricante:
Littelfuse
Descripción:
Darlington Transistors MOSFET 6 Amps 1200V 2.700 Rds
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
IXTT6N120 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
IXYS
categoria de producto
Transistores - FET, MOSFET - Sencillo
Serie
IXTT6N120
embalaje
Tubo
Unidad de peso
0.158733 oz
Estilo de montaje
SMD / SMT
Paquete-Estuche
TO-268-2
Tecnología
Si
Número de canales
1 Channel
Configuración
Único
Tipo transistor
1 N-Channel
Disipación de potencia Pd
300 W
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 55 C
Otoño
18 ns
Hora de levantarse
33 ns
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
20 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
6 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
1200 V
Vgs-th-Gate-Source-Threshold-Voltage
5 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
2.6 Ohms
Polaridad del transistor
Canal N
Tiempo de retardo de apagado típico
42 ns
Tiempo de retardo de encendido típico
28 ns
Qg-Gate-Charge
56 nC
Transconductancia directa-Mín.
3 S
Modo de canal
Mejora
Tags
IXTT6, IXTT, IXT
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ure Electronics
Single N-Channel 1200 V 2.6 Ohm 300 W Power Mosfet - TO-268
***ical
Trans MOSFET N-CH Si 1.2KV 6A 3-Pin(2+Tab) TO-268
***p One Stop Global
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 6A 3-Pin(2+Tab) TO-268
***i-Key
MOSFET N-CH 1200V 6A TO-268
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
IXTT6N120
DISTI # IXTT6N120-ND
IXYS CorporationMOSFET N-CH 1200V 6A TO-268
RoHS: Compliant
Min Qty: 30
Container: Box
Temporarily Out of Stock
  • 30:$9.0877
IXTT6N120
DISTI # 747-IXTT6N120
IXYS CorporationMOSFET 6 Amps 1200V 2.700 Rds
RoHS: Compliant
46
  • 1:$11.5800
  • 10:$10.4300
  • 25:$8.6800
  • 50:$8.0600
  • 100:$7.8800
  • 250:$7.1900
  • 500:$6.5600
  • 1000:$6.2600
Imagen Parte # Descripción
IXTT120N15P

Mfr.#: IXTT120N15P

OMO.#: OMO-IXTT120N15P

MOSFET POLAR HT MOSFET 150V 120A
IXTT88N30P

Mfr.#: IXTT88N30P

OMO.#: OMO-IXTT88N30P

MOSFET 88 Amps 300V 0.04 Rds
IXTT2N170D2

Mfr.#: IXTT2N170D2

OMO.#: OMO-IXTT2N170D2

MOSFET 1700V 2A
IXTT110N10L2

Mfr.#: IXTT110N10L2

OMO.#: OMO-IXTT110N10L2

MOSFET Linear Extended FBSOA Power MOSFET
IXTT110N10P

Mfr.#: IXTT110N10P

OMO.#: OMO-IXTT110N10P

MOSFET 110 Amps 100V 0.015 Rds
IXTT75N15

Mfr.#: IXTT75N15

OMO.#: OMO-IXTT75N15-1190

Nuevo y original
IXTT6N120

Mfr.#: IXTT6N120

OMO.#: OMO-IXTT6N120-IXYS-CORPORATION

Darlington Transistors MOSFET 6 Amps 1200V 2.700 Rds
IXTT88N30P

Mfr.#: IXTT88N30P

OMO.#: OMO-IXTT88N30P-IXYS-CORPORATION

Darlington Transistors MOSFET 88 Amps 300V 0.04 Rds
IXTT82N25P

Mfr.#: IXTT82N25P

OMO.#: OMO-IXTT82N25P-IXYS-CORPORATION

IGBT Transistors MOSFET 82 Amps 250V 0.035 Rds
IXTT64N25P

Mfr.#: IXTT64N25P

OMO.#: OMO-IXTT64N25P-IXYS-CORPORATION

IGBT Transistors MOSFET 64 Amps 250V 0.049 Rds
Disponibilidad
Valores:
Available
En orden:
2000
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Precio de referencia (USD)
Cantidad
Precio unitario
Ext. Precio
1
9,39 US$
9,39 US$
10
8,92 US$
89,21 US$
100
8,45 US$
845,10 US$
500
7,98 US$
3 990,75 US$
1000
7,51 US$
7 512,00 US$
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