IXTT2N170D2

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

IXYS

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-268-3

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

1.7 kV

Id - Corriente de drenaje continua:

2 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

6.5 Ohms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

110 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

568 W

Embalaje:

Tubo

Altura:

5.1 mm

Longitud:

14 mm

Serie:

IXTT2N170

Escribe:

Modo de agotamiento MOSFET

Ancho:

16.05 mm

Marca:

IXYS

Transconductancia directa - Mín .:

1.4 S

Otoño:

106 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

58 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

30

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

33 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

28 ns

Unidad de peso:

0.229281 oz

Tags

IXTT2, IXTT, IXT