BSS138LT7G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-23-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

50 V

Id - Corriente de drenaje continua:

200 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

3.5 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

0.85 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

5 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

225 mW

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Tipo de transistor:

1 N-Channel Power MOSFET

Marca:

EN Semiconductor

Transconductancia directa - Mín .:

100 mMhos

Tipo de producto:

MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

3500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

20 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

20 ns

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BSS138LT, BSS138L, BSS138, BSS13, BSS1, BSS