BSS138DWQ-7

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-363-6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

50 V

Id - Corriente de drenaje continua:

200 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

3.5 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

500 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 50 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

200 mW

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Calificación:

AEC-Q101

Embalaje:

Carrete

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Marca:

Diodos incorporados

Transconductancia directa - Mín .:

100 mS

Tipo de producto:

MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

20 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

20 ns

Unidad de peso:

0.000265 oz

Tags

BSS138DW, BSS138D, BSS138, BSS13, BSS1, BSS