IXTA200N055T2

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

IXYS

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-263-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

55 V

Id - Corriente de drenaje continua:

200 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

3.3 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

4 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

109 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

360 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

HiPerFET

Embalaje:

Tubo

Altura:

4.83 mm

Longitud:

9.65 mm

Serie:

IXTA200N055

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

TrenchT2 Power MOSFET

Ancho:

10.41 mm

Marca:

IXYS

Transconductancia directa - Mín .:

50 S

Otoño:

27 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

22 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

50

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

49 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

26 ns

Unidad de peso:

0.056438 oz

Tags

IXTA200N05, IXTA200, IXTA20, IXTA2, IXTA, IXT