IRLHM620TRPBF

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

PQFN-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

40 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

2.5 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

12 V

Qg - Carga de puerta:

52 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

37 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.05 mm

Longitud:

3.3 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

MOSFET de potencia HEXFET

Ancho:

3.3 mm

Marca:

Infineon / IR

Transconductancia directa - Mín .:

58 S

Otoño:

37 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

25 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

4000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

57 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

7.5 ns

Parte # Alias:

SP001550432

Tags

IRLHM620TRP, IRLHM620T, IRLHM62, IRLHM, IRLH, IRL