GT50J

GT50J101 vs GT50J102 vs GT50J102(Q)

 
PartNumberGT50J101GT50J102GT50J102(Q)
DescriptionINSTOCKIGBT, 600V, TO-3P(LH)
ManufacturerTOSHIBA--
Product CategoryIC Chips--
Fabricante Parte # Descripción RFQ
Toshiba
Toshiba
GT50JR22(STA1,E,S) IGBT Transistors IGBT for Soft Switching Apps
GT50J101 INSTOCK
GT50J102 IGBT, 600V, TO-3P(LH)
GT50J102(Q) Nuevo y original
GT50J102Q Nuevo y original
GT50J121 Nuevo y original
GT50J121(Q) Nuevo y original
GT50J122 Nuevo y original
GT50J301 Nuevo y original
GT50J301(Q) Nuevo y original
GT50J301Q Nuevo y original
GT50J321 Nuevo y original
GT50J322 Nuevo y original
GT50J322(Q) Nuevo y original
GT50J322,GT30J122, Nuevo y original
GT50J322,GT30J122A Nuevo y original
GT50J322B Nuevo y original
GT50J322H Nuevo y original
GT50J323 Nuevo y original
GT50J324 Nuevo y original
GT50J325 IGBT, 600V, TO-3P(LH), DC Collector Current:50A, Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2.45V, Power Dissipation Pd:240W, Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V, No. of Pins:3Pins, Operat
GT50J325(Q) Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-3P(LH)
GT50J327 Nuevo y original
GT50J328 Nuevo y original
GT50J341 Nuevo y original
GT50J342 Nuevo y original
GT50J342,Q(O Nuevo y original
GT50J342Q(0 Nuevo y original
GT50JR21 IGBT N-CH 600V 50A ENHANCEMENT TO3PN, TU
GT50JR21(STA1,E,S) Nuevo y original
GT50JR21(STA1ES) IGBTs (Alt: GT50JR21(STA1,E,S))
GT50JR21STA1 IGBT Transistors LOW SATURATION/FAST SWITCHING
GT50JR22 IGBT N-CH 600V 50A ENHANCEMENT TO3PN, EA
GT50JR22(S1WD E S Nuevo y original
GT50JR22(S1WDES Nuevo y original
GT50JR22(S1WLD E S Nuevo y original
GT50JR22(S1WLD,E,STOSHIB Nuevo y original
GT50JR22(S1WLDES Nuevo y original
GT50JR22(STA1,E,S) Nuevo y original
GT50JR22(STA1ES) Nuevo y original
GT50JR22,50JR22 Nuevo y original
GT50J121(Q)-ND Nuevo y original
GT50J341,Q(O) IGBT Chip
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