BUD42DG

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-252-3

Polaridad del transistor:

NPN

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

350 V

Colector- Voltaje base VCBO:

650 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

9 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

0.2 V

Corriente máxima del colector de CC:

4 A

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Altura:

2.38 mm (Max)

Longitud:

6.73 mm (Max)

Embalaje:

Tubo

Ancho:

6.22 mm (Max)

Marca:

EN Semiconductor

Corriente continua del colector:

4 A

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

8

Pd - Disipación de energía:

25 W

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

75

Subcategoría:

Transistores

Tags

BUD42D, BUD42, BUD4, BUD