2SA608NG-NPA-AT

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-92-3

Polaridad del transistor:

PNP

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

50 V

Colector- Voltaje base VCBO:

- 50 V, 60 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

- 6 V, 6 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

- 0.3 V, 0.3 V

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

200 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Ganancia de corriente CC hFE Max:

560

Embalaje:

Carrete

Marca:

EN Semiconductor

Corriente continua del colector:

- 150 mA, 150 mA

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

70

Pd - Disipación de energía:

500 mW

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

1500

Subcategoría:

Transistores

Unidad de peso:

0.016000 oz

Tags

2SA608N, 2SA608, 2SA60, 2SA6, 2SA