SIHB25N50E-GE3

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Vishay

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-263-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

550 V

Id - Corriente de drenaje continua:

26 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

145 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

4 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Qg - Carga de puerta:

57 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

250 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Serie:

E

Marca:

Vishay / Siliconix

Otoño:

29 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

36 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

57 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

19 ns

Unidad de peso:

0.077603 oz

Tags

SIHB2, SIHB, SIH