MRF1511NT1

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

NXP

Categoria de producto:

Transistores RF MOSFET

RoHS:

E

Polaridad del transistor:

Canal N

Tecnología:

Si

Id - Corriente de drenaje continua:

4 A

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

40 V

Ganar:

13 dB

Potencia de salida:

8 W

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

PLD-1.5

Embalaje:

Carrete

Configuración:

Único

Altura:

1.83 mm

Longitud:

6.73 mm

Frecuencia de operación:

175 MHz

Serie:

MRF1511NT1

Escribe:

RF Power MOSFET

Ancho:

5.97 mm

Marca:

NXP / Freescale

Modo de canal:

Mejora

Sensible a la humedad:

Yes

Pd - Disipación de energía:

62.5 W

Tipo de producto:

Transistores RF MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

1000

Subcategoría:

MOSFET

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.6 V

Parte # Alias:

935314119515

Unidad de peso:

0.009877 oz

Tags

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