FCU2250N80Z

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-251-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

800 V

Id - Corriente de drenaje continua:

2.6 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

2.25 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2.5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V, 30 V

Qg - Carga de puerta:

11 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

39 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

SuperFET II

Embalaje:

Tubo

Altura:

6.3 mm

Longitud:

6.8 mm

Serie:

FCU2250N80Z

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

2.5 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconductancia directa - Mín .:

2.28 S

Otoño:

8.7 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

6.7 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1800

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

26 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

11 ns

Unidad de peso:

0.012102 oz

Tags

FCU2, FCU