QST9TR

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor ROHM

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SMT-6

Polaridad del transistor:

PNP

Configuración:

Doble

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

- 30 V

Colector- Voltaje base VCBO:

- 30 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

- 6 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

- 150 mV

Corriente máxima del colector de CC:

1 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

320 MHz

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Serie:

QST9

Ganancia de corriente CC hFE Max:

680

Altura:

1.1 mm

Longitud:

2.9 mm

Embalaje:

Carrete

Ancho:

1.6 mm

Marca:

Semiconductor ROHM

Corriente continua del colector:

- 1 A

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

270

Pd - Disipación de energía:

1.25 W

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

Transistores

Parte # Alias:

QST9

Tags

QST9T, QST9, QST