STV160NF02LT4

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

STMicroelectronics

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

PowerSO-10

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

160 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

1.6 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

15 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

210 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

3.65 mm

Longitud:

7.6 mm

Serie:

STV160NF02

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

MOSFET de potencia

Ancho:

9.5 mm

Marca:

STMicroelectronics

Transconductancia directa - Mín .:

210 S

Otoño:

240 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

800 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

600

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

80 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

28 ns

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