FCP190N60-GF102

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-220-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

600 V

Id - Corriente de drenaje continua:

20.2 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

170 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2.5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V, 30 V

Qg - Carga de puerta:

57 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

208 W

Configuración:

Único

Nombre comercial:

SuperFET II

Embalaje:

Tubo

Altura:

16.3 mm

Longitud:

10.67 mm

Serie:

FCP190N60_GF102

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

4.7 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconductancia directa - Mín .:

21 S

Otoño:

5 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

10 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

800

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

64 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

20 ns

Parte # Alias:

FCP190N60_GF102

Unidad de peso:

0.063493 oz

Tags

FCP190N60, FCP190, FCP19, FCP1, FCP