DMN10H170SK3-13

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-252-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Id - Corriente de drenaje continua:

12 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

140 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

9.7 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

42 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Serie:

DMN10

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

Diodos incorporados

Otoño:

12.8 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

11.1 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

42.6 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

10.5 ns

Unidad de peso:

0.017284 oz

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DMN10H170SK, DMN10H17, DMN10H1, DMN10H, DMN10, DMN1, DMN